嵌入式OTP结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310222709.1

申请日：

2013-06-05

公开(公告)号：

CN104218038A

公开(公告)日：

2014-12-17

发明(设计)人：

李亮王佰胜赵新梅

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L27112

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-17	公开	公开
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594984120 IPC(主分类):H01L 27/112 专利申请号:2013102227091 申请日:20130605
2017-09-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 27/112 专利申请号:2013102227091 申请公布日:20141217 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101758372027

共 50 条

[1]

一种嵌入式闪存结构及其制备方法 [P].

罗清威 ;

周俊 .

中国专利 :CN105140228B ,2015-12-09

[2]

SONOS结构嵌入式闪存的制造方法 [P].

戴树刚 ;

唐小亮 ;

黄冠群 .

中国专利 :CN106298680A ,2017-01-04

[3]

嵌入式压条 [P].

谢照红 ;

张跃志 ;

余建忠 .

中国专利 :CN301110448D ,2010-01-13

[4]

嵌入式闪存及其制造方法、嵌入式半导体器件 [P].

杨辉 ;

陈宏 ;

张连宝 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN111799266A ,2020-10-20

[5]

嵌入式闪存及其制造方法、嵌入式半导体器件 [P].

杨辉 ;

陈宏 ;

张连宝 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN111799266B ,2024-01-26

[6]

嵌入式存储器的栅极制程及其栅极结构 [P].

陈世明 ;

杨晓莹 .

中国专利 :CN1290159C ,2004-12-08

[7]

一种嵌入式复合铜箔结构 [P].

徐安 ;

王亚晔 ;

蔡达 ;

关治军 .

中国专利 :CN220615147U ,2024-03-19

[8]

嵌入式闪存器件的制备方法 [P].

张家瑞 ;

李志国 ;

徐杰 ;

周洋 ;

蒋辉 ;

赵慧 ;

弓琴琴 .

中国专利 :CN115589729B ,2025-10-28

[9]

嵌入式SONOS器件及其制备方法 [P].

周平生 ;

张可钢 .

中国专利 :CN115274678B ,2025-03-28

[10]

嵌入式闪存器件的制备方法 [P].

张家瑞 ;

李志国 ;

徐杰 ;

周洋 ;

蒋辉 ;

赵慧 ;

弓琴琴 .

中国专利 :CN115589729A ,2023-01-10

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