一种嵌入式闪存结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510472704.3

申请日：

2015-08-04

公开(公告)号：

CN105140228B

公开(公告)日：

2015-12-09

发明(设计)人：

罗清威周俊

申请人：

申请人地址：

430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

俞涤炯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101640715817 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2015104727043 申请日:20150804
2018-11-16	授权	授权
2015-12-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种嵌入式闪存结构及其制备方法 [P].

罗清威 ;

周俊 .

中国专利 :CN105140187A ,2015-12-09

[2]

嵌入式闪存及其制备方法 [P].

周海洋 ;

王会一 .

中国专利 :CN114864587A ,2022-08-05

[3]

嵌入式闪存器件的制备方法 [P].

张家瑞 ;

李志国 ;

徐杰 ;

周洋 ;

蒋辉 ;

赵慧 ;

弓琴琴 .

中国专利 :CN115589729B ,2025-10-28

[4]

嵌入式闪存器件的制备方法 [P].

张家瑞 ;

李志国 ;

徐杰 ;

周洋 ;

蒋辉 ;

赵慧 ;

弓琴琴 .

中国专利 :CN115589729A ,2023-01-10

[5]

嵌入式闪存及其制造方法、嵌入式半导体器件 [P].

杨辉 ;

陈宏 ;

张连宝 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN111799266A ,2020-10-20

[6]

嵌入式闪存及其制造方法、嵌入式半导体器件 [P].

杨辉 ;

陈宏 ;

张连宝 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN111799266B ,2024-01-26

[7]

嵌入式闪存、半导体器件结构及其制备方法 [P].

沈安星 ;

张有志 ;

乔学军 .

中国专利 :CN114335182A ,2022-04-12

[8]

嵌入式闪存的制备方法 [P].

王哲献 ;

高超 ;

江红 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN104600034B ,2015-05-06

[9]

嵌入式闪存的版图结构、嵌入式闪存及其形成方法 [P].

李冰寒 ;

江红 ;

王哲献 ;

高超 ;

于涛易 .

中国专利 :CN110349960A ,2019-10-18

[10]

SONOS结构嵌入式闪存的制造方法 [P].

戴树刚 ;

唐小亮 ;

黄冠群 .

中国专利 :CN106298680A ,2017-01-04

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