嵌入式闪存及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210433718.4

申请日：

2022-04-24

公开(公告)号：

CN114864587A

公开(公告)日：

2022-08-05

发明(设计)人：

周海洋王会一

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

H01L2711526 H01L2128

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

周耀君

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20220424
2022-08-05	公开	公开

共 50 条

[1]

嵌入式闪存器件的制备方法 [P].

张家瑞 ;

李志国 ;

徐杰 ;

周洋 ;

蒋辉 ;

赵慧 ;

弓琴琴 .

中国专利 :CN115589729B ,2025-10-28

[2]

嵌入式闪存器件的制备方法 [P].

张家瑞 ;

李志国 ;

徐杰 ;

周洋 ;

蒋辉 ;

赵慧 ;

弓琴琴 .

中国专利 :CN115589729A ,2023-01-10

[3]

嵌入式闪存的制备方法 [P].

王哲献 ;

高超 ;

江红 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN104600034B ,2015-05-06

[4]

嵌入式闪存及其制造方法、嵌入式半导体器件 [P].

杨辉 ;

陈宏 ;

张连宝 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN111799266A ,2020-10-20

[5]

嵌入式闪存及其制造方法、嵌入式半导体器件 [P].

杨辉 ;

陈宏 ;

张连宝 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN111799266B ,2024-01-26

[6]

嵌入式闪存及其制作方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120835557A ,2025-10-24

[7]

嵌入式闪存高压器件及其制备方法 [P].

沈安星 .

中国专利 :CN118866971B ,2025-01-24

[8]

嵌入式闪存的制备方法 [P].

沈安星 ;

张有志 .

中国专利 :CN114784009B ,2022-07-22

[9]

嵌入式闪存高压器件及其制备方法 [P].

沈安星 .

中国专利 :CN118866971A ,2024-10-29

[10]

嵌入式闪存及其制造方法 [P].

刘青松 ;

杨俊洲 ;

宋时宇 .

中国专利 :CN118660456A ,2024-09-17

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