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嵌入式闪存及其制造方法、嵌入式半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010870895.X
申请日：
2020-08-26
公开(公告)号：
CN111799266A
公开(公告)日：
2020-10-20
发明(设计)人：
杨辉
陈宏
张连宝
曹子贵
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L2711517
IPC分类号：
H01L2711521
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
曹廷廷
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-10-20 | 公开 | 公开 |
| 2020-11-06 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11517 申请日:20200826 |