嵌入式闪存器件的制备方法

被引：0

申请号：

CN202211369719.3

申请日：

2022-11-03

公开(公告)号：

CN115589729A

公开(公告)日：

2023-01-10

发明(设计)人：

张家瑞李志国徐杰周洋蒋辉赵慧弓琴琴

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H10B4130

IPC分类号：

H10B4140

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

崔莹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-10	公开	公开
2023-01-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H10B 41/30 申请日:20221103

共 50 条

[1]

嵌入式闪存器件的制备方法 [P].

张家瑞 ;

李志国 ;

徐杰 ;

周洋 ;

蒋辉 ;

赵慧 ;

弓琴琴 .

中国专利 :CN115589729B ,2025-10-28

[2]

嵌入式闪存的制备方法 [P].

王哲献 ;

高超 ;

江红 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN104600034B ,2015-05-06

[3]

嵌入式闪存及其制备方法 [P].

周海洋 ;

王会一 .

中国专利 :CN114864587A ,2022-08-05

[4]

嵌入式闪存的制备方法 [P].

沈安星 ;

张有志 .

中国专利 :CN114784009B ,2022-07-22

[5]

嵌入式闪存及其制造方法、嵌入式半导体器件 [P].

杨辉 ;

陈宏 ;

张连宝 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN111799266B ,2024-01-26

[6]

嵌入式闪存及其制造方法、嵌入式半导体器件 [P].

杨辉 ;

陈宏 ;

张连宝 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN111799266A ,2020-10-20

[7]

嵌入式闪存器件结构及其制作方法 [P].

党扬 ;

张超然 ;

张剑 ;

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN114256255A ,2022-03-29

[8]

嵌入式闪存的结构及嵌入式闪存的制造方法 [P].

胡勇 .

中国专利 :CN105470259B ,2016-04-06

[9]

嵌入式闪存高压器件及其制备方法 [P].

沈安星 .

中国专利 :CN118866971B ,2025-01-24

[10]

嵌入式闪存高压器件及其制备方法 [P].

沈安星 .

中国专利 :CN118866971A ,2024-10-29

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