嵌入式闪存的结构及嵌入式闪存的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410466050.9

申请日：

2014-09-12

公开(公告)号：

CN105470259B

公开(公告)日：

2016-04-06

发明(设计)人：

胡勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

H01L2711548

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-06	公开	公开
2018-12-11	授权	授权
2016-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101658481529 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2014104660509 申请日:20140912

共 50 条

[1]

嵌入式闪存的制造方法 [P].

廖修汉 ;

蒋汝平 .

中国专利 :CN103208458A ,2013-07-17

[2]

嵌入式闪存的版图结构、嵌入式闪存及其形成方法 [P].

李冰寒 ;

江红 ;

王哲献 ;

高超 ;

于涛易 .

中国专利 :CN110349960A ,2019-10-18

[3]

嵌入式闪存的检测电路和微调方法、嵌入式闪存 [P].

李鸣 .

中国专利 :CN105609142B ,2016-05-25

[4]

嵌入式闪存的制备方法 [P].

王哲献 ;

高超 ;

江红 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN104600034B ,2015-05-06

[5]

嵌入式闪存的制备方法 [P].

沈安星 ;

张有志 .

中国专利 :CN114784009B ,2022-07-22

[6]

SONOS结构嵌入式闪存的制造方法 [P].

戴树刚 ;

唐小亮 ;

黄冠群 .

中国专利 :CN106298680A ,2017-01-04

[7]

嵌入式闪存及其制造方法 [P].

刘青松 ;

杨俊洲 ;

宋时宇 .

中国专利 :CN118660456A ,2024-09-17

[8]

嵌入式闪存及其制造方法 [P].

陈建奇 .

中国专利 :CN109727984B ,2019-05-07

[9]

嵌入式闪存的测试方法、测试设备和嵌入式闪存芯片 [P].

朱渊源 .

中国专利 :CN111312328A ,2020-06-19

[10]

嵌入式闪存高速编程的实现方法、嵌入式闪存的编程系统 [P].

汤臻 ;

章锡翔 ;

刘强 ;

吴忠洁 .

中国专利 :CN112802527A ,2021-05-14

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