嵌入式闪存及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711018734.2

申请日：

2017-10-27

公开(公告)号：

CN109727984B

公开(公告)日：

2019-05-07

发明(设计)人：

陈建奇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

H01L29788 H01L21336

代理机构：

上海德禾翰通律师事务所 31319

代理人：

侯莉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-07	公开	公开
2022-04-12	授权	授权
2019-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20171027

共 50 条

[1]

嵌入式闪存及其制造方法 [P].

刘青松 ;

杨俊洲 ;

宋时宇 .

中国专利 :CN118660456A ,2024-09-17

[2]

一种嵌入式闪存及其制造方法 [P].

王政烈 ;

夏洪旭 ;

张进刚 ;

曾令旭 .

中国专利 :CN102544004A ,2012-07-04

[3]

嵌入式闪存及其制造方法、嵌入式半导体器件 [P].

杨辉 ;

陈宏 ;

张连宝 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN111799266A ,2020-10-20

[4]

嵌入式闪存及其制造方法、嵌入式半导体器件 [P].

杨辉 ;

陈宏 ;

张连宝 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN111799266B ,2024-01-26

[5]

嵌入式闪存的结构及嵌入式闪存的制造方法 [P].

胡勇 .

中国专利 :CN105470259B ,2016-04-06

[6]

嵌入式闪存的制造方法 [P].

廖修汉 ;

蒋汝平 .

中国专利 :CN103208458A ,2013-07-17

[7]

嵌入式闪存的制备方法 [P].

王哲献 ;

高超 ;

江红 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN104600034B ,2015-05-06

[8]

一种嵌入式闪存及其制造方法和电子装置 [P].

陈建奇 .

中国专利 :CN106601744A ,2017-04-26

[9]

嵌入式闪存的形成方法 [P].

王哲献 ;

高超 ;

江红 ;

李冰寒 .

中国专利 :CN104465525B ,2015-03-25

[10]

嵌入式闪存及其制备方法 [P].

周海洋 ;

王会一 .

中国专利 :CN114864587A ,2022-08-05

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