嵌入式闪存高压器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411321019.6

申请日：

2024-09-23

公开(公告)号：

CN118866971A

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

沈安星

申请人：

粤芯半导体技术股份有限公司

申请人地址：

510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/49 H01L21/336 H10B41/00

代理机构：

北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400

代理人：

陈莉娥

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240923
2025-01-24	授权	授权
2024-10-29	公开	公开

共 50 条

[1]

嵌入式闪存高压器件及其制备方法 [P].

沈安星 .

中国专利 :CN118866971B ,2025-01-24

[2]

嵌入式闪存器件的制备方法 [P].

张家瑞 ;

李志国 ;

徐杰 ;

周洋 ;

蒋辉 ;

赵慧 ;

弓琴琴 .

中国专利 :CN115589729B ,2025-10-28

[3]

嵌入式闪存器件的制备方法 [P].

张家瑞 ;

李志国 ;

徐杰 ;

周洋 ;

蒋辉 ;

赵慧 ;

弓琴琴 .

中国专利 :CN115589729A ,2023-01-10

[4]

嵌入式闪存及其制备方法 [P].

周海洋 ;

王会一 .

中国专利 :CN114864587A ,2022-08-05

[5]

嵌入式闪存及其制造方法、嵌入式半导体器件 [P].

杨辉 ;

陈宏 ;

张连宝 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN111799266B ,2024-01-26

[6]

嵌入式闪存及其制造方法、嵌入式半导体器件 [P].

杨辉 ;

陈宏 ;

张连宝 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN111799266A ,2020-10-20

[7]

嵌入式闪存、半导体器件结构及其制备方法 [P].

沈安星 ;

张有志 ;

乔学军 .

中国专利 :CN114335182A ,2022-04-12

[8]

嵌入式闪存器件的制作方法 [P].

沈安星 ;

刘贲 .

中国专利 :CN118401005A ,2024-07-26

[9]

嵌入式闪存器件的制作方法 [P].

沈安星 ;

刘贲 .

中国专利 :CN118401005B ,2024-09-03

[10]

嵌入式闪存器件结构及其制作方法 [P].

党扬 ;

张超然 ;

张剑 ;

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN114256255A ,2022-03-29

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