嵌入式闪存、半导体器件结构及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210218189.6

申请日：

2022-03-08

公开(公告)号：

CN114335182A

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

沈安星张有志乔学军

申请人：

申请人地址：

510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336 H01L2711517

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20220308
2022-04-12	公开	公开

共 50 条

[1]

嵌入式闪存及其制造方法、嵌入式半导体器件 [P].

杨辉 ;

陈宏 ;

张连宝 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN111799266A ,2020-10-20

[2]

嵌入式闪存及其制造方法、嵌入式半导体器件 [P].

杨辉 ;

陈宏 ;

张连宝 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN111799266B ,2024-01-26

[3]

嵌入式闪存器件结构及其制作方法 [P].

党扬 ;

张超然 ;

张剑 ;

熊伟 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN114256255A ,2022-03-29

[4]

嵌入式闪存器件的制备方法 [P].

张家瑞 ;

李志国 ;

徐杰 ;

周洋 ;

蒋辉 ;

赵慧 ;

弓琴琴 .

中国专利 :CN115589729B ,2025-10-28

[5]

嵌入式闪存器件的制备方法 [P].

张家瑞 ;

李志国 ;

徐杰 ;

周洋 ;

蒋辉 ;

赵慧 ;

弓琴琴 .

中国专利 :CN115589729A ,2023-01-10

[6]

嵌入式闪存高压器件及其制备方法 [P].

沈安星 .

中国专利 :CN118866971B ,2025-01-24

[7]

嵌入式闪存高压器件及其制备方法 [P].

沈安星 .

中国专利 :CN118866971A ,2024-10-29

[8]

嵌入式闪存及其制备方法 [P].

周海洋 ;

王会一 .

中国专利 :CN114864587A ,2022-08-05

[9]

嵌入式闪存的结构及嵌入式闪存的制造方法 [P].

胡勇 .

中国专利 :CN105470259B ,2016-04-06

[10]

一种嵌入式闪存结构及其制备方法 [P].

罗清威 ;

周俊 .

中国专利 :CN105140228B ,2015-12-09

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