嵌入式SONOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210842677.4

申请日：

2022-07-18

公开(公告)号：

CN115274678B

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

周平生张可钢

申请人：

上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H10B43/00

IPC分类号：

H10B43/35 H10B43/40

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-28	授权	授权

共 50 条

[1]

嵌入式硅纳米晶SONOS器件制造方法 [P].

田志 ;

谢欣云 ;

匡玉标 .

中国专利 :CN102683292A ,2012-09-19

[2]

嵌入式闪存器件的制备方法 [P].

张家瑞 ;

李志国 ;

徐杰 ;

周洋 ;

蒋辉 ;

赵慧 ;

弓琴琴 .

中国专利 :CN115589729B ,2025-10-28

[3]

嵌入式闪存器件的制备方法 [P].

张家瑞 ;

李志国 ;

徐杰 ;

周洋 ;

蒋辉 ;

赵慧 ;

弓琴琴 .

中国专利 :CN115589729A ,2023-01-10

[4]

嵌入式SONOS存储器及其制备方法 [P].

王宁 ;

张可钢 .

中国专利 :CN114464537A ,2022-05-10

[5]

嵌入式SONOS存储器及其制备方法 [P].

王宁 ;

张可钢 .

中国专利 :CN114464537B ,2025-06-10

[6]

嵌入式闪存及其制备方法 [P].

周海洋 ;

王会一 .

中国专利 :CN114864587A ,2022-08-05

[7]

SONOS器件及其制造方法 [P].

许昭昭 ;

胡君 ;

刘冬华 ;

钱文生 ;

石晶 ;

段文婷 .

中国专利 :CN106206748A ,2016-12-07

[8]

SONOS器件及其制造方法 [P].

李浩然 ;

周朝锋 ;

李虎子 .

中国专利 :CN120614829A ,2025-09-09

[9]

SONOS器件以及SONOS器件制造方法 [P].

丁航晨 ;

张强 ;

黄冠群 .

中国专利 :CN106449766A ,2017-02-22

[10]

嵌入式SONOS闪存ONO层的制造方法 [P].

初靖 ;

蔡彬 ;

黄冠群 .

中国专利 :CN114695099A ,2022-07-01

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