外延层制造方法、外延层及增大工艺窗口的超结功率器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510608600.4

申请日：

2025-05-13

公开(公告)号：

CN120417452A

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

朱袁正周锦程李宗清

申请人：

无锡新洁能股份有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区电腾路6号

IPC主分类号：

H10D62/00

IPC分类号：

H10D62/10

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

马新军;曹祖良

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/00申请日:20250513
2025-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

外延层制造方法、外延层及宽工艺窗口的超结功率器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN120417450A ,2025-08-01

[2]

一种外延层的制造方法、外延层及降噪的超结功率器件 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN120417451A ,2025-08-01

[3]

一种超结功率器件的外延层的制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN120184003A ,2025-06-20

[4]

外延片及超结功率器件 [P].

林志鑫 ;

钟旻远 ;

姚桢 .

中国专利 :CN202839618U ,2013-03-27

[5]

用于超结功率器件结构的下层外延层电阻测量结构 [P].

贾璐 ;

楼颖颖 .

中国专利 :CN102751215A ,2012-10-24

[6]

超结MOS器件的反包外延层厚度监测方法 [P].

李睿 ;

曹志伟 ;

张召 .

中国专利 :CN115632005A ,2023-01-20

[7]

外延片、其生产方法及超结功率器件 [P].

林志鑫 ;

钟旻远 ;

姚桢 .

中国专利 :CN103633119A ,2014-03-12

[8]

氮化镓功率器件外延层结构及制备方法 [P].

林小坤 ;

邓顺达 ;

杨鸿志 .

中国专利 :CN119767734A ,2025-04-04

[9]

半导体器件外延工艺及包括其形成的外延层的半导体器件 [P].

涂火金 ;

邓钦 ;

刘厥扬 ;

胡展源 .

中国专利 :CN113823561A ,2021-12-21

[10]

外延层、外延层生长方法及半导体结构 [P].

赵旭熠 ;

王玮竹 ;

尚金铭 .

中国专利 :CN119800494A ,2025-04-11

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