具有位于下方的嵌入式抗穿通层的FinFET方法和结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210479477.3

申请日：

2012-11-22

公开(公告)号：

CN103531477B

公开(公告)日：

2014-01-22

发明(设计)人：

吴伟豪杨凯杰谢文兴后藤贤一吴志强

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-06	授权	授权
2014-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101573731893 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012104794773 申请日:20121122
2014-01-22	公开	公开

共 50 条

[1]

具有嵌入式EFS3以及FINFET器件的结构 [P].

刘铭棋 ;

吴常明 ;

刘世昌 ;

张宇行 ;

曾元泰 .

中国专利 :CN106298769A ,2017-01-04

[2]

具有位于重分布层下方的复合阻挡层的半导体结构及其制造方法 [P].

吴俊谕 ;

商育伟 ;

康安祺 .

中国专利 :CN105097717A ,2015-11-25

[3]

具有位于重分布层下方的复合阻挡层的半导体结构及其制造方法 [P].

吴俊谕 ;

商育伟 ;

康安祺 .

中国专利 :CN110364502A ,2019-10-22

[4]

嵌入式外延层的制造方法 [P].

涂火金 ;

张瑜 .

中国专利 :CN113140462B ,2024-03-08

[5]

嵌入式外延层的制造方法 [P].

涂火金 ;

张瑜 .

中国专利 :CN113130322A ,2021-07-16

[6]

嵌入式外延层的制造方法 [P].

涂火金 ;

张瑜 .

中国专利 :CN113140462A ,2021-07-20

[7]

嵌入式外延层的制造方法 [P].

涂火金 ;

刘厥扬 ;

胡展源 .

中国专利 :CN111599764A ,2020-08-28

[8]

嵌入式SiP外延层的制造方法 [P].

涂火金 ;

郑凯仁 ;

张瑜 ;

翁文寅 .

中国专利 :CN113130324A ,2021-07-16

[9]

嵌入式SiP外延层的制造方法 [P].

涂火金 ;

郑凯仁 ;

张瑜 ;

胡展源 .

中国专利 :CN113394161A ,2021-09-14

[10]

嵌入式SiP外延层的制造方法 [P].

涂火金 ;

郑凯仁 ;

张瑜 .

中国专利 :CN113130323A ,2021-07-16

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