具有位于重分布层下方的复合阻挡层的半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910536378.6

申请日：

2014-07-31

公开(公告)号：

CN110364502A

公开(公告)日：

2019-10-22

发明(设计)人：

吴俊谕商育伟康安祺

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23482

IPC分类号：

H01L23488 H01L2160

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-22	公开	公开
2019-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/482 申请日:20140731

共 50 条

[1]

具有位于重分布层下方的复合阻挡层的半导体结构及其制造方法 [P].

吴俊谕 ;

商育伟 ;

康安祺 .

中国专利 :CN105097717A ,2015-11-25

[2]

具有薄阻挡层的半导体层结构 [P].

T.刘 ;

李星 ;

H.杰 .

中国专利 :CN113851930A ,2021-12-28

[3]

扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件及其制造方法 [P].

斯蒂芬·A·科恩 ;

蒂莫西·J·多尔顿 ;

约翰·A·费兹西蒙斯 ;

斯蒂芬·M·盖兹 ;

莱恩·M·基格纳克 ;

保罗·C·詹米森 ;

康－吾·李 ;

辛帕斯·帕鲁舒塔曼 ;

达尔·D·利斯坦诺 ;

伊万·西蒙尼 ;

霍雷肖·S·威尔德曼 .

中国专利 :CN1186814C ,2001-08-15

[4]

具有阻挡层的半导体晶片和半导体器件及其制造方法 [P].

R·鲁普 ;

F·J·桑托斯罗德里格斯 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN108074995A ,2018-05-25

[5]

制造具有扩散阻挡层的半导体装置的方法 [P].

黄义晟 .

中国专利 :CN1694238A ,2005-11-09

[6]

半导体内阻挡层的制造方法和有这种阻挡层的半导体元件 [P].

F·欣特迈尔 ;

C·马祖雷－埃斯佩乔 .

中国专利 :CN1208249A ,1999-02-17

[7]

具有氧扩散阻挡层的半导体器件及其制造方法 [P].

M·M·乔德哈里 ;

J·K·谢弗 .

中国专利 :CN102549755B ,2012-07-04

[8]

包括阻挡层的半导体电极 [P].

阿拉温德·库马尔·钱迪兰 ;

穆罕默德·哈贾·纳泽鲁丁 ;

迈克尔·格雷泽尔 .

中国专利 :CN104106118B ,2014-10-15

[9]

阻挡层及其制造方法 [P].

游萃蓉 ;

卢火铁 ;

孙世伟 ;

黄益民 .

中国专利 :CN1227402A ,1999-09-01

[10]

制造包括不同的阻挡层结构的半导体装置的方法 [P].

赵南奎 ;

金国桓 ;

金仅祐 ;

朴正敏 ;

宋珉宇 .

中国专利 :CN110364415A ,2019-10-22

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