具有薄阻挡层的半导体层结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110709374.0

申请日：

2021-06-25

公开(公告)号：

CN113851930A

公开(公告)日：

2021-12-28

发明(设计)人：

T.刘李星 H.杰

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01S520

IPC分类号：

H01S532

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈茜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-28	公开	公开

共 50 条

[1]

具有电流阻挡层的半导体发光装置 [P].

李完镐 .

中国专利 :CN102800768A ,2012-11-28

[2]

包括阻挡层的半导体电极 [P].

阿拉温德·库马尔·钱迪兰 ;

穆罕默德·哈贾·纳泽鲁丁 ;

迈克尔·格雷泽尔 .

中国专利 :CN104106118B ,2014-10-15

[3]

具有阻挡层的半导体封装或器件 [P].

L·瓜里诺 ;

F·米拉内西 ;

C·扎弗罗尼 .

:CN118039601A ,2024-05-14

[4]

具有厚缓冲层的半导体层结构 [P].

L.范 .

中国专利 :CN110858700B ,2020-03-03

[5]

半导体内阻挡层的制造方法和有这种阻挡层的半导体元件 [P].

F·欣特迈尔 ;

C·马祖雷－埃斯佩乔 .

中国专利 :CN1208249A ,1999-02-17

[6]

扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件及其制造方法 [P].

斯蒂芬·A·科恩 ;

蒂莫西·J·多尔顿 ;

约翰·A·费兹西蒙斯 ;

斯蒂芬·M·盖兹 ;

莱恩·M·基格纳克 ;

保罗·C·詹米森 ;

康－吾·李 ;

辛帕斯·帕鲁舒塔曼 ;

达尔·D·利斯坦诺 ;

伊万·西蒙尼 ;

霍雷肖·S·威尔德曼 .

中国专利 :CN1186814C ,2001-08-15

[7]

制造具有扩散阻挡层的半导体装置的方法 [P].

黄义晟 .

中国专利 :CN1694238A ,2005-11-09

[8]

半导体元件的阻挡层孔洞消除方法 [P].

林平伟 ;

高明宽 ;

谢丞忠 .

中国专利 :CN1380686A ,2002-11-20

[9]

具有阻挡层的半导体晶片和半导体器件及其制造方法 [P].

R·鲁普 ;

F·J·桑托斯罗德里格斯 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN108074995A ,2018-05-25

[10]

用于在半导体结构中形成阻挡层的方法 [P].

周鹏 ;

吕术亮 ;

毛格 ;

李远 ;

宋锐 .

中国专利 :CN112956012A ,2021-06-11

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