具有电流阻挡层的半导体发光装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210169902.9

申请日：

2012-05-28

公开(公告)号：

CN102800768A

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

李完镐

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

屈玉华

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101709676360 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2012101699029 申请公布日:20121128
2012-11-28	公开	公开

共 50 条

[1]

具有电流阻挡层的发光元件 [P].

金艺瑟 ;

金京完 ;

金智惠 ;

禹尚沅 .

中国专利 :CN108281523B ,2018-07-13

[2]

具有电流阻挡层的发光元件 [P].

金艺瑟 ;

金京完 ;

金智惠 ;

禹尚沅 .

中国专利 :CN207676936U ,2018-07-31

[3]

具有薄阻挡层的半导体层结构 [P].

T.刘 ;

李星 ;

H.杰 .

中国专利 :CN113851930A ,2021-12-28

[4]

一种半导体发光器件的电流阻挡层及其制备方法 [P].

沈燕 ;

刘欢 ;

徐化勇 .

中国专利 :CN103367579A ,2013-10-23

[5]

具有阻挡层的半导体封装或器件 [P].

L·瓜里诺 ;

F·米拉内西 ;

C·扎弗罗尼 .

:CN118039601A ,2024-05-14

[6]

包括阻挡层的半导体电极 [P].

阿拉温德·库马尔·钱迪兰 ;

穆罕默德·哈贾·纳泽鲁丁 ;

迈克尔·格雷泽尔 .

中国专利 :CN104106118B ,2014-10-15

[7]

制造具有扩散阻挡层的半导体装置的方法 [P].

黄义晟 .

中国专利 :CN1694238A ,2005-11-09

[8]

半导体内阻挡层的制造方法和有这种阻挡层的半导体元件 [P].

F·欣特迈尔 ;

C·马祖雷－埃斯佩乔 .

中国专利 :CN1208249A ,1999-02-17

[9]

含电流阻挡层的氧化镓半导体制备方法和氧化镓半导体 [P].

龙世兵 ;

熊文豪 ;

吴枫 .

中国专利 :CN110504158A ,2019-11-26

[10]

具有电流阻挡层的发光二极管及其制造方法 [P].

彭青 ;

刘小星 ;

郝亚磊 ;

高艳龙 ;

尹灵峰 ;

梅劲 ;

王江波 .

中国专利 :CN115394885A ,2022-11-25

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