一种半导体发光器件的电流阻挡层及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210089128.0

申请日：

2012-03-29

公开(公告)号：

CN103367579A

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

沈燕刘欢徐化勇

申请人：

申请人地址：

250101 山东省济南市高新（历下）区天辰大街1835号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

吕利敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542138918 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2012100891280 申请日:20120329
2016-09-07	授权	授权
2015-12-02	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724450897 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2012100891280 登记生效日:20151111 变更事项:申请人变更前权利人:山东华光光电子有限公司变更后权利人:山东浪潮华光光电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:250101 山东省济南市高新(历下)区天辰大街1835号变更后权利人:261061 山东省潍坊市高新区金马路9号
2013-10-23	公开	公开
2020-10-09	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/14 登记生效日:20200916 变更事项:专利权人变更前权利人:山东浪潮华光光电子股份有限公司变更后权利人:苏州胜信光电科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:261061 山东省潍坊市高新区金马路9号变更后权利人:215200 江苏省苏州市吴江市松陵镇(八坼)经济开发区

共 50 条

[1]

具有电流阻挡层的半导体发光装置 [P].

李完镐 .

中国专利 :CN102800768A ,2012-11-28

[2]

一种半导体发光器件及电流扩散层的制备方法 [P].

陈万世 ;

张旺 .

中国专利 :CN102832297A ,2012-12-19

[3]

电流扩散电极、半导体发光器件及其制备方法 [P].

张戈 .

中国专利 :CN102810613A ,2012-12-05

[4]

扩散阻挡层和带扩散阻挡层的半导体器件及其制造方法 [P].

斯蒂芬·A·科恩 ;

蒂莫西·J·多尔顿 ;

约翰·A·费兹西蒙斯 ;

斯蒂芬·M·盖兹 ;

莱恩·M·基格纳克 ;

保罗·C·詹米森 ;

康－吾·李 ;

辛帕斯·帕鲁舒塔曼 ;

达尔·D·利斯坦诺 ;

伊万·西蒙尼 ;

霍雷肖·S·威尔德曼 .

中国专利 :CN1186814C ,2001-08-15

[5]

一种半导体发光器件的制备方法 [P].

朱浩 ;

曲晓东 .

中国专利 :CN104795472A ,2015-07-22

[6]

形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法 [P].

李成淑 ;

金沃炫 ;

李东律 ;

李东柱 ;

李庭旭 ;

李宪昊 .

中国专利 :CN103872200A ,2014-06-18

[7]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

林小坤 ;

邓顺达 ;

杨鸿志 ;

谢政璋 .

中国专利 :CN119816058A ,2025-04-11

[8]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

李丹丹 .

中国专利 :CN108258094A ,2018-07-06

[9]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

徐蓉 ;

吴朵朵 ;

文泽豪 ;

廖经皓 .

中国专利 :CN120640849A ,2025-09-12

[10]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

郭志中 ;

张丽旸 .

中国专利 :CN116420236B ,2025-07-22

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