半导体发光器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810012609.9

申请日：

2018-01-06

公开(公告)号：

CN108258094A

公开(公告)日：

2018-07-06

发明(设计)人：

李丹丹

申请人：

申请人地址：

230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号合肥创新产业园二期G4栋B区938室

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3306 H01L3308 H01L3312 H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20180106
2022-04-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/32 申请公布日:20180706
2018-07-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

王冬雷 ;

梅劲 ;

陈刚毅 .

中国专利 :CN104733579B ,2015-06-24

[2]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

徐蓉 ;

吴朵朵 ;

文泽豪 ;

廖经皓 .

中国专利 :CN120640849A ,2025-09-12

[3]

半导体发光器件 [P].

王冬雷 ;

梅劲 ;

陈刚毅 .

中国专利 :CN204809248U ,2015-11-25

[4]

一种半导体发光器件及其制备方法 [P].

周圣军 ;

胡红坡 .

中国专利 :CN106887487B ,2017-06-23

[5]

半导体发光器件 [P].

仓桥孝尚 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 ;

中津弘志 .

中国专利 :CN1495926A ,2004-05-12

[6]

半导体发光器件 [P].

S·胡迫尔 ;

V·布斯快特 ;

K·L·约翰逊 ;

J·黑弗曼 .

中国专利 :CN1619852A ,2005-05-25

[7]

半导体发光器件 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN114093996A ,2022-02-25

[8]

半导体发光器件 [P].

金兑圭 ;

郑泰午 ;

赵萤哲 ;

韩旻洙 .

中国专利 :CN104779239A ,2015-07-15

[9]

半导体发光器件 [P].

徐钟完 ;

金镇夏 ;

禹光福 ;

李东勋 ;

李源晙 ;

黄善焕 .

中国专利 :CN107316930A ,2017-11-03

[10]

半导体发光器件 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN114093996B ,2024-06-21

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