半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111383845.X

申请日：

2021-11-19

公开(公告)号：

CN114093996A

公开(公告)日：

2022-02-25

发明(设计)人：

王东山王思博廖汉忠

申请人：

申请人地址：

223005 江苏省淮安市清河新区景秀路6号

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3324 H01L3306

代理机构：

淮安市科文知识产权事务所 32223

代理人：

廖娜;李锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-25	公开	公开
2022-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/38 申请日:20211119

共 50 条

[1]

半导体发光器件 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN114093996B ,2024-06-21

[2]

半导体发光器件 [P].

仓桥孝尚 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 ;

中津弘志 .

中国专利 :CN1495926A ,2004-05-12

[3]

半导体发光器件 [P].

S·胡迫尔 ;

V·布斯快特 ;

K·L·约翰逊 ;

J·黑弗曼 .

中国专利 :CN1619852A ,2005-05-25

[4]

半导体发光器件 [P].

金兑圭 ;

郑泰午 ;

赵萤哲 ;

韩旻洙 .

中国专利 :CN104779239A ,2015-07-15

[5]

半导体发光器件 [P].

徐钟完 ;

金镇夏 ;

禹光福 ;

李东勋 ;

李源晙 ;

黄善焕 .

中国专利 :CN107316930A ,2017-11-03

[6]

半导体发光器件 [P].

门谷典和 ;

西田敦 ;

深泽孝一 ;

石井广彦 .

中国专利 :CN101226979B ,2008-07-23

[7]

半导体发光器件及半导体发光器件封装结构 [P].

覃国恒 ;

周业颖 ;

黄德冰 .

中国专利 :CN218333842U ,2023-01-17

[8]

一种半导体发光器件 [P].

李建华 ;

李全杰 ;

刘向英 .

中国专利 :CN111326623A ,2020-06-23

[9]

半导体发光器件 [P].

林小坤 ;

邓顺达 ;

杨鸿志 ;

谢政璋 .

中国专利 :CN223639632U ,2025-12-05

[10]

半导体发光器件 [P].

高健维 ;

朴英豪 ;

闵垘基 ;

朴亨镇 ;

黄硕珉 .

中国专利 :CN1964091A ,2007-05-16

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