一种半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811525667.8

申请日：

2018-12-13

公开(公告)号：

CN111326623A

公开(公告)日：

2020-06-23

发明(设计)人：

李建华李全杰刘向英

申请人：

申请人地址：

710075 陕西省西安市高新区高新路36号A1号楼二层A19室

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3314

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

毋雪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-23	公开	公开
2022-06-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/12 申请公布日:20200623

共 50 条

[1]

一种AlInGaN半导体发光器件 [P].

黄小辉 .

中国专利 :CN113257965B ,2021-08-13

[2]

一种能够改善发光效率的半导体发光器件 [P].

李建华 ;

李全杰 ;

刘向英 .

中国专利 :CN111326627A ,2020-06-23

[3]

半导体发光器件 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN114093996A ,2022-02-25

[4]

半导体发光器件 [P].

韩尚宪 ;

沈炫旭 ;

金制远 ;

赵周映 ;

朴成柱 ;

金晟泰 ;

金珍泰 ;

金容天 ;

李尚准 .

中国专利 :CN103650173A ,2014-03-19

[5]

半导体发光器件 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN114093996B ,2024-06-21

[6]

一种能够改善空穴传输能力的半导体发光器件 [P].

李建华 ;

李全杰 ;

刘向英 .

中国专利 :CN111326626A ,2020-06-23

[7]

一种能够调整电子迁移速率的半导体发光器件 [P].

李建华 ;

李全杰 ;

刘向英 .

中国专利 :CN111326618A ,2020-06-23

[8]

半导体发光器件 [P].

仓桥孝尚 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 ;

中津弘志 .

中国专利 :CN1495926A ,2004-05-12

[9]

半导体发光器件 [P].

S·胡迫尔 ;

V·布斯快特 ;

K·L·约翰逊 ;

J·黑弗曼 .

中国专利 :CN1619852A ,2005-05-25

[10]

半导体发光器件 [P].

林小坤 ;

邓顺达 ;

杨鸿志 ;

谢政璋 .

中国专利 :CN223639632U ,2025-12-05

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