半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180072081.0

申请日：

2011-07-29

公开(公告)号：

CN103650173A

公开(公告)日：

2014-03-19

发明(设计)人：

韩尚宪沈炫旭金制远赵周映朴成柱金晟泰金珍泰金容天李尚准

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3304 H01L3306

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

陈源;张帆

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-21	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101743798251 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2011800720810 申请公布日:20140319
2014-03-19	公开	公开
2014-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583659394 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2011800720810 申请日:20110729

共 50 条

[1]

半导体发光器件 [P].

林小坤 ;

邓顺达 ;

杨鸿志 ;

谢政璋 .

中国专利 :CN223639632U ,2025-12-05

[2]

半导体发光器件 [P].

高健维 ;

朴英豪 ;

闵垘基 ;

朴亨镇 ;

黄硕珉 .

中国专利 :CN1964091A ,2007-05-16

[3]

半导体发光器件 [P].

李海权 .

中国专利 :CN102498585A ,2012-06-13

[4]

半导体发光器件 [P].

黄硕珉 ;

河海秀 ;

金载润 ;

韩在镐 .

中国专利 :CN103797592A ,2014-05-14

[5]

半导体发光器件 [P].

裴德圭 .

中国专利 :CN102299227A ,2011-12-28

[6]

半导体发光器件 [P].

松井慎一 ;

镰田良基 ;

面家英树 .

日本专利 :CN112997324B ,2024-06-18

[7]

半导体发光器件 [P].

名古肇 ;

橘浩一 ;

彦坂年辉 ;

木村重哉 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102157648A ,2011-08-17

[8]

半导体发光器件 [P].

松井慎一 ;

镰田良基 ;

面家英树 .

中国专利 :CN112997324A ,2021-06-18

[9]

一种AlInGaN半导体发光器件 [P].

黄小辉 .

中国专利 :CN113257965B ,2021-08-13

[10]

半导体发光器件和氮化物半导体发光器件 [P].

驹田聪 .

中国专利 :CN101276875B ,2008-10-01

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