半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980074061.3

申请日：

2019-12-09

公开(公告)号：

CN112997324A

公开(公告)日：

2021-06-18

发明(设计)人：

松井慎一镰田良基面家英树

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

H01L3332 H01L3338

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

舒艳君;王秀辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/20 申请日:20191209
2021-06-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光器件 [P].

松井慎一 ;

镰田良基 ;

面家英树 .

日本专利 :CN112997324B ,2024-06-18

[2]

半导体发光器件 [P].

李海权 .

中国专利 :CN102498585A ,2012-06-13

[3]

半导体发光器件 [P].

名古肇 ;

橘浩一 ;

彦坂年辉 ;

木村重哉 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102157648A ,2011-08-17

[4]

半导体发光器件 [P].

林小坤 ;

邓顺达 ;

杨鸿志 ;

谢政璋 .

中国专利 :CN223639632U ,2025-12-05

[5]

半导体发光器件 [P].

高健维 ;

朴英豪 ;

闵垘基 ;

朴亨镇 ;

黄硕珉 .

中国专利 :CN1964091A ,2007-05-16

[6]

半导体发光器件 [P].

韩尚宪 ;

沈炫旭 ;

金制远 ;

赵周映 ;

朴成柱 ;

金晟泰 ;

金珍泰 ;

金容天 ;

李尚准 .

中国专利 :CN103650173A ,2014-03-19

[7]

半导体发光器件 [P].

丁焕熙 .

中国专利 :CN101740696B ,2010-06-16

[8]

半导体发光器件 [P].

黄硕珉 ;

河海秀 ;

金载润 ;

韩在镐 .

中国专利 :CN103797592A ,2014-05-14

[9]

半导体发光器件 [P].

裴德圭 .

中国专利 :CN102299227A ,2011-12-28

[10]

半导体发光器件和氮化物半导体发光器件 [P].

驹田聪 .

中国专利 :CN101276875B ,2008-10-01

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