半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910246326.1

申请日：

2009-11-25

公开(公告)号：

CN101740696B

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

丁焕熙

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

H01L3322 H01L3324 H01L3338

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;王春伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/20 申请日:20091125 授权公告日:20140326 终止日期:20191125
2010-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005271946 IPC(主分类):H01L 33/20 专利申请号:2009102463261 申请日:20091125
2014-03-26	授权	授权
2010-06-16	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光器件 [P].

丁焕熙 ;

李尚烈 ;

宋俊午 ;

文智炯 ;

崔光基 .

中国专利 :CN102820399A ,2012-12-12

[2]

半导体发光器件 [P].

李海权 .

中国专利 :CN102498585A ,2012-06-13

[3]

半导体发光器件 [P].

郑畴溶 .

中国专利 :CN103441199B ,2013-12-11

[4]

半导体发光器件 [P].

朴炯兆 .

中国专利 :CN101740698B ,2010-06-16

[5]

半导体发光器件 [P].

赵基铉 .

中国专利 :CN101814567A ,2010-08-25

[6]

半导体发光器件 [P].

松井慎一 ;

镰田良基 ;

面家英树 .

日本专利 :CN112997324B ,2024-06-18

[7]

半导体发光器件 [P].

名古肇 ;

橘浩一 ;

彦坂年辉 ;

木村重哉 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102157648A ,2011-08-17

[8]

半导体发光器件 [P].

丁换熙 .

中国专利 :CN102751413B ,2012-10-24

[9]

半导体发光器件 [P].

松井慎一 ;

镰田良基 ;

面家英树 .

中国专利 :CN112997324A ,2021-06-18

[10]

半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备 [P].

沈载仁 ;

宋尚烨 ;

河宗勋 ;

金起范 ;

崔丞佑 .

中国专利 :CN105633257B ,2016-06-01

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