一种能够调整电子迁移速率的半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811527469.5

申请日：

2018-12-13

公开(公告)号：

CN111326618A

公开(公告)日：

2020-06-23

发明(设计)人：

李建华李全杰刘向英

申请人：

申请人地址：

710075 陕西省西安市高新区高新路36号A1号楼二层A19室

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3312 H01L3314 H01L3332

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

毋雪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-23	公开	公开
2022-06-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/06 申请公布日:20200623

共 50 条

[1]

一种能够改善发光效率的半导体发光器件 [P].

李建华 ;

李全杰 ;

刘向英 .

中国专利 :CN111326627A ,2020-06-23

[2]

一种半导体发光器件 [P].

李建华 ;

李全杰 ;

刘向英 .

中国专利 :CN111326623A ,2020-06-23

[3]

一种能够改善空穴传输能力的半导体发光器件 [P].

李建华 ;

李全杰 ;

刘向英 .

中国专利 :CN111326626A ,2020-06-23

[4]

一种AlInGaN半导体发光器件 [P].

黄小辉 .

中国专利 :CN113257965B ,2021-08-13

[5]

一种防止金属迁移的半导体发光器件 [P].

钟志白 ;

李水清 ;

杨建健 ;

张灿源 ;

梁兆煊 .

中国专利 :CN102931314A ,2013-02-13

[6]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

中津弘志 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 .

中国专利 :CN1319183C ,2004-05-19

[7]

一种便于安装的电子半导体发光器件 [P].

吴柏洪 .

中国专利 :CN212571027U ,2021-02-19

[8]

一种同质封装的半导体发光器件 [P].

朱剑飞 .

中国专利 :CN108963055A ,2018-12-07

[9]

一种半导体发光器件 [P].

余春生 .

中国专利 :CN112635690A ,2021-04-09

[10]

半导体发光器件的制造方法 [P].

安相贞 .

中国专利 :CN115336014A ,2022-11-11

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