一种半导体发光器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710093011.2

申请日：

2017-02-21

公开(公告)号：

CN106887487B

公开(公告)日：

2017-06-23

发明(设计)人：

周圣军胡红坡

申请人：

申请人地址：

430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222

代理人：

胡艳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-23	公开	公开
2022-08-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/04 登记生效日:20220725 变更事项:专利权人变更前权利人:武汉大学变更后权利人:江西兆驰半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学变更后权利人:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
2017-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101735214412 IPC(主分类):H01L 33/04 专利申请号:2017100930112 申请日:20170221
2019-02-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

徐蓉 ;

吴朵朵 ;

文泽豪 ;

廖经皓 .

中国专利 :CN120640849A ,2025-09-12

[2]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

李丹丹 .

中国专利 :CN108258094A ,2018-07-06

[3]

一种半导体发光器件及其制造方法 [P].

张佰君 ;

王钢 ;

范冰丰 .

中国专利 :CN101226981B ,2008-07-23

[4]

高效率半导体发光器件及其制备方法 [P].

杨珊珊 ;

冯美鑫 ;

周宇 ;

孙钱 ;

张书明 ;

杨辉 ;

李永建 ;

吴迅飞 .

中国专利 :CN117766655A ,2024-03-26

[5]

半导体发光器件 [P].

仓桥孝尚 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 ;

中津弘志 .

中国专利 :CN1495926A ,2004-05-12

[6]

半导体发光器件 [P].

S·胡迫尔 ;

V·布斯快特 ;

K·L·约翰逊 ;

J·黑弗曼 .

中国专利 :CN1619852A ,2005-05-25

[7]

半导体发光器件 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN114093996A ,2022-02-25

[8]

半导体发光器件 [P].

金兑圭 ;

郑泰午 ;

赵萤哲 ;

韩旻洙 .

中国专利 :CN104779239A ,2015-07-15

[9]

半导体发光器件 [P].

徐钟完 ;

金镇夏 ;

禹光福 ;

李东勋 ;

李源晙 ;

黄善焕 .

中国专利 :CN107316930A ,2017-11-03

[10]

半导体发光器件 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN114093996B ,2024-06-21

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