高效率半导体发光器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310632431.9

申请日：

2023-05-31

公开(公告)号：

CN117766655A

公开(公告)日：

2024-03-26

发明(设计)人：

杨珊珊冯美鑫周宇孙钱张书明杨辉李永建吴迅飞

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L33/14

IPC分类号：

H01L33/38 H01L33/00 H01L33/22

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

赵世发

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/14申请日:20230531
2024-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

高效率有源层和半导体发光器件及制备方法 [P].

王俊 ;

谭少阳 ;

周立 ;

程洋 ;

肖啸 ;

郭银涛 ;

俞浩 ;

李泉灵 ;

廖新胜 ;

闵大勇 .

中国专利 :CN114430002B ,2022-05-03

[2]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

徐蓉 ;

吴朵朵 ;

文泽豪 ;

廖经皓 .

中国专利 :CN120640849A ,2025-09-12

[3]

一种半导体发光器件及其制备方法 [P].

周圣军 ;

胡红坡 .

中国专利 :CN106887487B ,2017-06-23

[4]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

林小坤 ;

邓顺达 ;

杨鸿志 ;

谢政璋 .

中国专利 :CN119816058A ,2025-04-11

[5]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

李丹丹 .

中国专利 :CN108258094A ,2018-07-06

[6]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

郭志中 ;

张丽旸 .

中国专利 :CN116420236B ,2025-07-22

[7]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

金迎春 ;

徐瑾 ;

王江波 .

中国专利 :CN102623603A ,2012-08-01

[8]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

王冬雷 ;

梅劲 ;

陈刚毅 .

中国专利 :CN104733579B ,2015-06-24

[9]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

宋超 ;

刘榕 ;

周武 .

中国专利 :CN102709422A ,2012-10-03

[10]

改善发光效率的半导体发光器件及其制造方法 [P].

冯海涛 ;

蔡德晟 .

中国专利 :CN103413883B ,2013-11-27

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