一种半导体发光器件及电流扩散层的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110163904.2

申请日：

2011-06-17

公开(公告)号：

CN102832297A

公开(公告)日：

2012-12-19

发明(设计)人：

陈万世张旺

申请人：

申请人地址：

518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

C23C1408 C23C1430

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-19	公开	公开
2020-01-17	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20191230 变更事项:专利权人变更前权利人:比亚迪股份有限公司变更后权利人:深圳比亚迪微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号变更后权利人:518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
2013-06-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101473922042 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011101639042 申请日:20110617
2015-09-30	授权	授权

共 50 条

[1]

电流扩散电极、半导体发光器件及其制备方法 [P].

张戈 .

中国专利 :CN102810613A ,2012-12-05

[2]

一种半导体发光器件制作的方法及半导体发光器件 [P].

刘硕 ;

刘治 ;

万小承 .

中国专利 :CN106816508A ,2017-06-09

[3]

电流扩散效果优秀的氮化物半导体发光器件及其制备方法 [P].

崔元珍 ;

朴廷元 .

中国专利 :CN103748698A ,2014-04-23

[4]

一种半导体发光器件的电流阻挡层及其制备方法 [P].

沈燕 ;

刘欢 ;

徐化勇 .

中国专利 :CN103367579A ,2013-10-23

[5]

一种半导体发光外延层及器件的制备方法 [P].

王思维 .

中国专利 :CN119584727A ,2025-03-07

[6]

一种半导体发光器件的制备方法 [P].

徐平 ;

许孔祥 .

中国专利 :CN114551662B ,2025-09-12

[7]

一种半导体发光器件的制备方法 [P].

徐平 ;

许孔祥 .

中国专利 :CN114551662A ,2022-05-27

[8]

半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 ;

山本修 .

中国专利 :CN1741294A ,2006-03-01

[9]

制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件 [P].

金台勋 ;

金起范 ;

许元九 ;

金荣善 ;

金起成 .

中国专利 :CN102315340B ,2012-01-11

[10]

半导体发光器件及制备方法 [P].

叶能 .

中国专利 :CN117855360A ,2024-04-09

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