半导体发光器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211214219.2

申请日：

2022-09-30

公开(公告)号：

CN117855360A

公开(公告)日：

2024-04-09

发明(设计)人：

叶能

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01L33/44

IPC分类号：

H01L33/20 H01L33/00

代理机构：

北京思创毕升专利事务所 11218

代理人：

廉莉莉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/44申请日:20220930
2024-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光器件及其制备方法 [P].

徐蓉 ;

吴朵朵 ;

文泽豪 ;

廖经皓 .

中国专利 :CN120640849A ,2025-09-12

[2]

制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件 [P].

金台勋 ;

金起范 ;

许元九 ;

金荣善 ;

金起成 .

中国专利 :CN102315340B ,2012-01-11

[3]

半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备 [P].

沈载仁 ;

宋尚烨 ;

河宗勋 ;

金起范 ;

崔丞佑 .

中国专利 :CN105633257B ,2016-06-01

[4]

半导体发光器件的制造方法 [P].

住友弘幸 ;

梶山训 ;

上田诚 .

中国专利 :CN101005193A ,2007-07-25

[5]

半导体发光器件 [P].

朴炯兆 .

中国专利 :CN102751405A ,2012-10-24

[6]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN101246944B ,2008-08-20

[7]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108365074A ,2018-08-03

[8]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN103988322B ,2014-08-13

[9]

半导体发光器件 [P].

丸田秀昭 .

中国专利 :CN100416876C ,2007-01-31

[10]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108550672A ,2018-09-18

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