半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810343598.2

申请日：

2013-07-18

公开(公告)号：

CN108550672A

公开(公告)日：

2018-09-18

发明(设计)人：

全水根朴恩铉金勈德

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3310

IPC分类号：

H01L3332 H01L3338 H01L3342 H01L3344 H01L3346 H01L3350

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

吕俊刚;刘久亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/10 申请日:20130718
2022-04-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/10 申请公布日:20180918
2018-09-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108365074A ,2018-08-03

[2]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108598229A ,2018-09-28

[3]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108565323A ,2018-09-21

[4]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108598230A ,2018-09-28

[5]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108493308A ,2018-09-04

[6]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN103988322B ,2014-08-13

[7]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108598231A ,2018-09-28

[8]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN104011887A ,2014-08-27

[9]

半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备 [P].

沈载仁 ;

宋尚烨 ;

河宗勋 ;

金起范 ;

崔丞佑 .

中国专利 :CN105633257B ,2016-06-01

[10]

半导体发光器件 [P].

朴炯兆 .

中国专利 :CN102751405A ,2012-10-24

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