半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810343138.X

申请日：

2013-07-18

公开(公告)号：

CN108493308A

公开(公告)日：

2018-09-04

发明(设计)人：

全水根朴恩铉金勈德

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3310

IPC分类号：

H01L3350 H01L3362

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

吕俊刚;刘久亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/10 申请日:20130718
2022-12-16	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/10 申请公布日:20180904
2018-09-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108598229A ,2018-09-28

[2]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108565323A ,2018-09-21

[3]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108598230A ,2018-09-28

[4]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108365074A ,2018-08-03

[5]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108550672A ,2018-09-18

[6]

制造半导体发光器件的方法 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN103975451B ,2014-08-06

[7]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108598231A ,2018-09-28

[8]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN103988322B ,2014-08-13

[9]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN104011887A ,2014-08-27

[10]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108550671A ,2018-09-18

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