半导体发光器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810343596.3
申请日
2013-07-18
公开(公告)号
CN108598231A
公开(公告)日
2018-09-28
发明(设计)人
全水根 朴恩铉 金勈德
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L3310
IPC分类号
H01L3332 H01L3338 H01L3342 H01L3344 H01L3346 H01L3350
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
吕俊刚;刘久亮
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN108598229A ,2018-09-28
[2]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN108365074A ,2018-08-03
[3]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN108565323A ,2018-09-21
[4]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN108598230A ,2018-09-28
[5]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN108493308A ,2018-09-04
[6]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN108550672A ,2018-09-18
[7]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN103988322B ,2014-08-13
[8]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN104011887A ,2014-08-27
[9]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN108550671A ,2018-09-18
[10]
半导体发光器件 [P]. 
金昌台 ;
南起燃 .
中国专利 :CN102239576A ,2011-11-09