半导体发光器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200980148845.2
申请日
2009-12-04
公开(公告)号
CN102239576A
公开(公告)日
2011-11-09
发明(设计)人
金昌台 南起燃
申请人
申请人地址
韩国庆尚北道
IPC主分类号
H01L3336
IPC分类号
代理机构
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
李辉;孙海龙
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN108598229A ,2018-09-28
[2]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN108365074A ,2018-08-03
[3]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN108565323A ,2018-09-21
[4]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN108598230A ,2018-09-28
[5]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN108493308A ,2018-09-04
[6]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN108550672A ,2018-09-18
[7]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN108550671A ,2018-09-18
[8]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 ;
金勈德 .
中国专利 :CN108598231A ,2018-09-28
[9]
半导体发光器件 [P]. 
全水根 ;
朴恩铉 .
中国专利 :CN103946994B ,2014-07-23
[10]
半导体发光器件和制造该半导体发光器件的方法 [P]. 
尹浩相 ;
沈相均 .
中国专利 :CN101765924A ,2010-06-30