制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110185733.3

申请日：

2011-07-04

公开(公告)号：

CN102315340B

公开(公告)日：

2012-01-11

发明(设计)人：

金台勋金起范许元九金荣善金起成

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3310 H01L3322

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

陈源;张帆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101194110318 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011101857333 申请日:20110704
2012-01-11	公开	公开
2012-11-14	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101459584567 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011101857333 变更事项:申请人变更前权利人:三星LED株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121009
2014-12-31	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光器件、半导体发光装置以及制造半导体发光器件的方法 [P].

村本卫司 ;

布上真也 ;

冈俊行 .

中国专利 :CN102326265B ,2012-01-18

[2]

半导体发光器件及制造该半导体发光器件的方法 [P].

郑太逸 ;

金英采 ;

金善万 ;

韩睿志 ;

朴清勋 ;

崔炳均 ;

姜世恩 .

中国专利 :CN102956786A ,2013-03-06

[3]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

后藤田徹 ;

名古肇 ;

冈俊行 ;

财满康太郎 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194986A ,2011-09-21

[4]

半导体发光器件的制造方法和半导体发光器件 [P].

平田照二 ;

成井启修 .

中国专利 :CN1311553A ,2001-09-05

[5]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

中津弘志 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 .

中国专利 :CN1319183C ,2004-05-19

[6]

半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 ;

山本修 .

中国专利 :CN1741294A ,2006-03-01

[7]

半导体发光器件和制造该半导体发光器件的方法 [P].

尹浩相 ;

沈相均 .

中国专利 :CN101765924A ,2010-06-30

[8]

半导体发光器件和用于制造半导体发光器件的方法 [P].

北林弘之 ;

松原秀树 .

中国专利 :CN101981712A ,2011-02-23

[9]

半导体发光器件及半导体发光装置的制造方法 [P].

龟井英德 .

中国专利 :CN101569024B ,2009-10-28

[10]

半导体发光器件以及半导体器件的制造方法 [P].

S·E·霍珀 ;

V·鲍斯奎特 ;

J·赫弗尔南 .

中国专利 :CN100477304C ,2006-11-01

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