制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110185733.3

申请日：

2011-07-04

公开(公告)号：

CN102315340B

公开(公告)日：

2012-01-11

发明(设计)人：

金台勋金起范许元九金荣善金起成

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3310 H01L3322

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

陈源;张帆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101194110318 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011101857333 申请日:20110704
2012-01-11	公开	公开
2012-11-14	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101459584567 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011101857333 变更事项:申请人变更前权利人:三星LED株式会社变更后权利人:三星电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道登记生效日:20121009
2014-12-31	授权	授权

共 50 条

[41]

半导体发光器件 [P].

N·B·普费弗 ;

A·G·范德尔西德 ;

P·J·Q·范福尔斯特-瓦德尔 .

中国专利 :CN114556558A ,2022-05-27

[42]

半导体发光器件 [P].

S·胡迫尔 ;

V·布斯快特 ;

K·L·约翰逊 ;

J·黑弗曼 .

中国专利 :CN1619852A ,2005-05-25

[43]

半导体发光器件 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN108598229A ,2018-09-28

[44]

半导体发光器件 [P].

崔繁在 ;

金裕承 ;

李进馥 .

中国专利 :CN102217105B ,2011-10-12

[45]

半导体发光器件 [P].

沈成铉 ;

金容一 ;

H·柳 ;

延智慧 ;

尹俊富 ;

尹知勋 ;

赵秀玄 .

中国专利 :CN110993634A ,2020-04-10

[46]

半导体发光器件 [P].

林朝晖 ;

王树林 ;

闫占彪 ;

陈元金 ;

徐国俊 .

中国专利 :CN202564428U ,2012-11-28

[47]

半导体发光器件 [P].

李刚 ;

蒋剑涛 .

中国专利 :CN216488126U ,2022-05-10

[48]

半导体发光器件 [P].

王东山 ;

王思博 ;

廖汉忠 .

中国专利 :CN114093996A ,2022-02-25

[49]

半导体发光器件 [P].

卢宗宏 .

中国专利 :CN111525009A ,2020-08-11

[50]

半导体发光器件 [P].

尹柱宪 ;

吉正焕 ;

金台勋 ;

宋和龙 ;

沈载仁 .

韩国专利 :CN110085716B ,2024-12-17

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