制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110185733.3
申请日
2011-07-04
公开(公告)号
CN102315340B
公开(公告)日
2012-01-11
发明(设计)人
金台勋 金起范 许元九 金荣善 金起成
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
H01L3310 H01L3322
代理机构
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
陈源;张帆
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[21]
半导体发光器件及制造方法 [P]. 
周东发 .
中国专利 :CN1825641A ,2006-08-30
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崔承奎 ;
郭雨澈 ;
金材宪 ;
郑廷桓 ;
张三硕 .
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[23]
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金起范 ;
许元九 ;
崔丞佑 ;
李承宰 ;
李时赫 ;
金台勋 .
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许元九 ;
申永澈 ;
金起范 ;
崔丞佑 .
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全水根 ;
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金勈德 .
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孙秀亨 ;
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曹元根 ;
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[30]
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安相贞 .
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