半导体发光器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510105871.0

申请日：

2005-09-29

公开(公告)号：

CN100446283C

公开(公告)日：

2006-05-10

发明(设计)人：

原田光范

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

黄纶伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20050929 授权公告日:20081224 终止日期:20190929
2006-05-10	公开	公开
2007-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-12-24	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

后藤田徹 ;

名古肇 ;

冈俊行 ;

财满康太郎 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194986A ,2011-09-21

[2]

制造半导体发光器件的方法 [P].

全水根 ;

朴恩铉 ;

金勈德 .

中国专利 :CN103975451B ,2014-08-06

[3]

半导体发光器件、半导体发光器件的制造方法和光学装置 [P].

林伸彦 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN102782967A ,2012-11-14

[4]

半导体发光器件的制造方法和半导体发光器件 [P].

平田照二 ;

成井启修 .

中国专利 :CN1311553A ,2001-09-05

[5]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

中津弘志 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 .

中国专利 :CN1319183C ,2004-05-19

[6]

半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 ;

山本修 .

中国专利 :CN1741294A ,2006-03-01

[7]

制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件 [P].

金台勋 ;

金起范 ;

许元九 ;

金荣善 ;

金起成 .

中国专利 :CN102315340B ,2012-01-11

[8]

半导体发光器件、半导体发光装置以及制造半导体发光器件的方法 [P].

村本卫司 ;

布上真也 ;

冈俊行 .

中国专利 :CN102326265B ,2012-01-18

[9]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

高谷邦启 ;

花冈大介 ;

石田真也 .

中国专利 :CN101222117B ,2008-07-16

[10]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

小岛章弘 ;

杉崎吉昭 .

中国专利 :CN101840986A ,2010-09-22

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