半导体发光器件及半导体发光装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880001275.X

申请日：

2008-02-19

公开(公告)号：

CN101569024B

公开(公告)日：

2009-10-28

发明(设计)人：

龟井英德

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-12	授权	授权
2009-12-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-04-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101604515306 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL200880001275X 申请日:20080219 授权公告日:20110112 终止日期:20140219
2009-10-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光器件、半导体发光装置以及制造半导体发光器件的方法 [P].

村本卫司 ;

布上真也 ;

冈俊行 .

中国专利 :CN102326265B ,2012-01-18

[2]

制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件 [P].

金台勋 ;

金起范 ;

许元九 ;

金荣善 ;

金起成 .

中国专利 :CN102315340B ,2012-01-11

[3]

半导体发光器件及制造该半导体发光器件的方法 [P].

郑太逸 ;

金英采 ;

金善万 ;

韩睿志 ;

朴清勋 ;

崔炳均 ;

姜世恩 .

中国专利 :CN102956786A ,2013-03-06

[4]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

后藤田徹 ;

名古肇 ;

冈俊行 ;

财满康太郎 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194986A ,2011-09-21

[5]

半导体发光器件的制造方法和半导体发光器件 [P].

平田照二 ;

成井启修 .

中国专利 :CN1311553A ,2001-09-05

[6]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

中津弘志 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 .

中国专利 :CN1319183C ,2004-05-19

[7]

半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 ;

山本修 .

中国专利 :CN1741294A ,2006-03-01

[8]

半导体发光器件及使用它的半导体发光装置以及该半导体发光装置的制造方法 [P].

龟井英德 .

中国专利 :CN101821867A ,2010-09-01

[9]

半导体发光器件及使用它的半导体发光装置 [P].

堀笃宽 ;

龟井英德 ;

前田修作 .

中国专利 :CN101828277B ,2010-09-08

[10]

半导体发光器件和制造该半导体发光器件的方法 [P].

尹浩相 ;

沈相均 .

中国专利 :CN101765924A ,2010-06-30

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