含电流阻挡层的氧化镓半导体制备方法和氧化镓半导体

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910767717.1
申请日
2019-08-19
公开(公告)号
CN110504158A
公开(公告)日
2019-11-26
发明(设计)人
龙世兵 熊文豪 吴枫
申请人
申请人地址
230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
IPC主分类号
H01L2102
IPC分类号
H01L2924
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
张宇园
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
氧化镓半导体及其制备方法 [P]. 
陈梓敏 ;
王钢 ;
陈伟驱 .
中国专利 :CN110085658A ,2019-08-02
[2]
在基材上形成含铋氧化镓系半导体膜的方法、含铋氧化镓系半导体膜及半导体元件 [P]. 
山野飒 .
中国专利 :CN114807869A ,2022-07-29
[3]
在基材上形成含铋氧化镓系半导体膜的方法、含铋氧化镓系半导体膜及半导体元件 [P]. 
山野飒 .
日本专利 :CN114807869B ,2024-03-12
[4]
氧化镓基半导体结构及其制备方法 [P]. 
龙世兵 ;
周选择 ;
徐光伟 ;
熊文豪 ;
赵晓龙 ;
刘明 .
中国专利 :CN111129166B ,2020-05-08
[5]
氧化镓系半导体及其制造方法 [P]. 
山野飒 .
中国专利 :CN113555419A ,2021-10-26
[6]
一种氧化镓半导体叠层结构、制备方法及半导体装置 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN115706141A ,2023-02-17
[7]
在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜 [P]. 
夏晓川 ;
柳阳 ;
申人升 ;
梁红伟 ;
杜国同 ;
胡礼中 .
中国专利 :CN103456603A ,2013-12-18
[8]
氧化镓半导体结构、垂直型氧化镓基功率器件及制备方法 [P]. 
欧欣 ;
徐文慧 ;
游天桂 ;
沈正皓 .
中国专利 :CN111223782A ,2020-06-02
[9]
氧化镓半导体结构、MOSFET器件及制备方法 [P]. 
欧欣 ;
徐文慧 ;
游天桂 ;
沈正皓 .
中国专利 :CN110854062A ,2020-02-28
[10]
具有电流阻挡层的半导体发光装置 [P]. 
李完镐 .
中国专利 :CN102800768A ,2012-11-28