氧化镓系半导体及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110428555.6

申请日：

2021-04-21

公开(公告)号：

CN113555419A

公开(公告)日：

2021-10-26

发明(设计)人：

山野飒

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L2924

IPC分类号：

H01L2102 C23C1408 C23C1428

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

王潇悦;段承恩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-26	公开	公开
2021-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/24 申请日:20210421

共 50 条

[1]

在基材上形成含铋氧化镓系半导体膜的方法、含铋氧化镓系半导体膜及半导体元件 [P].

山野飒 .

日本专利 :CN114807869B ,2024-03-12

[2]

在基材上形成含铋氧化镓系半导体膜的方法、含铋氧化镓系半导体膜及半导体元件 [P].

山野飒 .

中国专利 :CN114807869A ,2022-07-29

[3]

氧化镓半导体及其制备方法 [P].

陈梓敏 ;

王钢 ;

陈伟驱 .

中国专利 :CN110085658A ,2019-08-02

[4]

外延晶片、氮化镓系半导体器件的制作方法、氮化镓系半导体器件及氧化镓晶片 [P].

桥本信 ;

秋田胜史 ;

藤原伸介 ;

中幡英章 ;

元木健作 .

中国专利 :CN102308370B ,2012-01-04

[5]

高耐压氮化镓系半导体设备及其制造方法 [P].

金田直树 .

中国专利 :CN104835833A ,2015-08-12

[6]

氧化镓基半导体结构及其制备方法 [P].

龙世兵 ;

周选择 ;

徐光伟 ;

熊文豪 ;

赵晓龙 ;

刘明 .

中国专利 :CN111129166B ,2020-05-08

[7]

在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜 [P].

夏晓川 ;

柳阳 ;

申人升 ;

梁红伟 ;

杜国同 ;

胡礼中 .

中国专利 :CN103456603A ,2013-12-18

[8]

氮化镓系半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

神林宏 ;

寺本章伸 ;

大见忠弘 .

中国专利 :CN103299405A ,2013-09-11

[9]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

笹冈千秋 ;

小岛淳 ;

恩田正一 ;

长屋正武 ;

原一都 ;

河口大祐 .

中国专利 :CN113539808A ,2021-10-22

[10]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

笹冈千秋 ;

小岛淳 ;

恩田正一 ;

长屋正武 ;

原一都 ;

河口大祐 .

日本专利 :CN113539808B ,2024-08-27

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