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具有厚缓冲层的半导体层结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910575603.7
申请日：
2019-06-28
公开(公告)号：
CN110858700B
公开(公告)日：
2020-03-03
发明(设计)人：
L.范
申请人：
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
H01S534
IPC分类号：
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
葛青
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-03-03 | 公开 | 公开 |
| 2022-12-06 | 授权 | 授权 |
| 2021-09-10 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/34 申请日:20190628 |