半导体层结构

被引：0

申请号：

CN202080083021.8

申请日：

2020-12-08

公开(公告)号：

CN114788013A

公开(公告)日：

2022-07-22

发明(设计)人：

马丁·安德烈亚斯·奥尔松

申请人：

申请人地址：

瑞典隆德

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2920 H01L2910 H01L21205 H01L21338 H01L21337 H01L29423 H01L29417 H01L2120

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李敬文;王新华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20201208
2022-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构与半导体装置 [P].

许胜福 ;

陈世范 ;

黄麟淯 .

中国专利 :CN222916512U ,2025-05-27

[2]

半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法 [P].

林永丰 ;

周政道 .

中国专利 :CN111785773A ,2020-10-16

[3]

半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法 [P].

林永丰 ;

周政伟 ;

章思尧 ;

周政道 ;

陈秀明 .

中国专利 :CN110473919A ,2019-11-19

[4]

半导体结构及其制造方法 [P].

李力恒 ;

陈佑昇 .

中国专利 :CN108258042A ,2018-07-06

[5]

用于半导体结构的欧姆触点 [P].

希瓦·拉伊 .

美国专利 :CN121040236A ,2025-11-28

[6]

半导体结构及具有半导体结构的高电子迁移率晶体管装置 [P].

陈志谚 ;

卢钒达 .

中国专利 :CN113871475A ,2021-12-31

[7]

半导体器件 [P].

陈立凡 ;

黄绍璋 ;

李建兴 .

中国专利 :CN117995835A ,2024-05-07

[8]

半导体装置 [P].

中岛昭 ;

原田信介 ;

儿岛一聪 .

日本专利 :CN118369771A ,2024-07-19

[9]

半导体器件 [P].

杜卫星 ;

游政昇 .

中国专利 :CN115332245B ,2024-03-08

[10]

半导体装置 [P].

温文莹 .

中国专利 :CN117497536A ,2024-02-02

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