半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810447296.X

申请日：

2018-05-11

公开(公告)号：

CN110473919A

公开(公告)日：

2019-11-19

发明(设计)人：

林永丰周政伟章思尧周政道陈秀明

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2910 H01L21335

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王涛;刘淼

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20180511
2019-11-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法 [P].

林永丰 ;

周政道 .

中国专利 :CN111785773A ,2020-10-16

[2]

半导体结构和高电子迁移率晶体管的制造方法 [P].

林永丰 ;

周钰杰 .

中国专利 :CN109755308B ,2019-05-14

[3]

高电子迁移率晶体管及半导体装置 [P].

斋藤竜舞 .

日本专利 :CN119213567A ,2024-12-27

[4]

半导体结构及高电子迁移率晶体管 [P].

陈志谚 ;

王端玮 ;

卢钒达 ;

陈俊扬 .

中国专利 :CN115513276A ,2022-12-23

[5]

半导体结构及高电子迁移率晶体管 [P].

陈志谚 ;

钒达·卢 .

中国专利 :CN115548087A ,2022-12-30

[6]

高电子迁移率晶体管的半导体结构 [P].

杨伟臣 ;

何伟志 .

中国专利 :CN120111926A ,2025-06-06

[7]

高电子迁移率晶体管及高压半导体装置 [P].

黄嘉庆 ;

陈志谚 ;

吴俊仪 ;

萧智仁 .

中国专利 :CN113871476A ,2021-12-31

[8]

高电子迁移率晶体管的半导体结构及其制造方法 [P].

林伯融 .

:CN119153332A ,2024-12-17

[9]

半导体结构及具有半导体结构的高电子迁移率晶体管装置 [P].

陈志谚 ;

卢钒达 .

中国专利 :CN113871475A ,2021-12-31

[10]

用于高电子迁移率晶体管的半导体结构 [P].

林伯融 .

:CN119421444A ,2025-02-11

← 1 2 3 4 5 →