半导体结构和高电子迁移率晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711090586.5

申请日：

2017-11-08

公开(公告)号：

CN109755308B

公开(公告)日：

2019-05-14

发明(设计)人：

林永丰周钰杰

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

贾磊;王涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20171108
2022-04-29	授权	授权
2019-05-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法 [P].

林永丰 ;

周政伟 ;

章思尧 ;

周政道 ;

陈秀明 .

中国专利 :CN110473919A ,2019-11-19

[2]

半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法 [P].

林永丰 ;

周政道 .

中国专利 :CN111785773A ,2020-10-16

[3]

半导体结构及高电子迁移率晶体管 [P].

陈志谚 ;

王端玮 ;

卢钒达 ;

陈俊扬 .

中国专利 :CN115513276A ,2022-12-23

[4]

高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管 [P].

蔡政原 .

中国专利 :CN214705936U ,2021-11-12

[5]

高电子迁移率晶体管的半导体结构 [P].

杨伟臣 ;

何伟志 .

中国专利 :CN120111926A ,2025-06-06

[6]

高电子迁移率晶体管的半导体结构及其制造方法 [P].

林伯融 .

:CN119153332A ,2024-12-17

[7]

半导体结构及高电子迁移率晶体管 [P].

陈志谚 ;

钒达·卢 .

中国专利 :CN115548087A ,2022-12-30

[8]

高电子迁移率晶体管和半导体装置 [P].

F·尤克拉诺 ;

A·基尼 .

中国专利 :CN214797426U ,2021-11-19

[9]

高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管 [P].

山村拓嗣 ;

西口贤弥 ;

住吉和英 .

日本专利 :CN112614783B ,2025-09-05

[10]

高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管 [P].

山村拓嗣 ;

西口贤弥 ;

住吉和英 .

中国专利 :CN112614783A ,2021-04-06

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