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半导体结构及高电子迁移率晶体管

被引：0
申请号：
CN202110730091.4
申请日：
2021-06-29
公开(公告)号：
CN115548087A
公开(公告)日：
2022-12-30
发明(设计)人：
陈志谚 钒达·卢
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹县
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L29778
代理机构：
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223
代理人：
刘莉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2023-01-20 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210629
2022-12-30 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及高电子迁移率晶体管 [P]. 
陈志谚 ;
王端玮 ;
卢钒达 ;
陈俊扬 .
中国专利 :CN115513276A ,2022-12-23
[2]
高电子迁移率晶体管的半导体结构 [P]. 
杨伟臣 ;
何伟志 .
中国专利 :CN120111926A ,2025-06-06
[3]
用于高电子迁移率晶体管的半导体结构 [P]. 
林伯融 .
:CN119421444A ,2025-02-11
[4]
高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管 [P]. 
蔡政原 .
中国专利 :CN214705936U ,2021-11-12
[5]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
杨伟臣 ;
何伟志 .
中国专利 :CN120111925A ,2025-06-06
[6]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
B·T·库奇 ;
J·M·德安格里斯 ;
S·H·波特 ;
T·S·威尔斯 ;
M·D·莱维 .
美国专利 :CN119835984A ,2025-04-15
[7]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
S·沙玛 ;
M·J·齐拉克 ;
S·J·本特利 ;
M·D·莱维 .
美国专利 :CN118156297A ,2024-06-07
[8]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
S·夏尔马 ;
S·本特利 .
美国专利 :CN117650170A ,2024-03-05
[9]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
S·夏尔马 ;
R·克里希纳萨米 ;
J·A·康塔洛夫斯基 .
美国专利 :CN118116968A ,2024-05-31
[10]
高电子迁移率晶体管 [P]. 
M·D·莱维 ;
J·A·康塔洛夫斯基 ;
M·J·齐拉克 ;
S·沙马 ;
S·J·本特利 .
美国专利 :CN119815861A ,2025-04-11
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