用于高电子迁移率晶体管的半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411493039.1

申请日：

2024-10-24

公开(公告)号：

CN119421444A

公开(公告)日：

2025-02-11

发明(设计)人：

林伯融

申请人：

英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司

申请人地址：

开曼群岛大开曼岛乔治镇桑德北路坎农广场102室

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D62/815 H10D62/854

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

王玉双

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20241024
2025-02-11	公开	公开

共 50 条

[1]

高电子迁移率晶体管的半导体结构 [P].

杨伟臣 ;

何伟志 .

中国专利 :CN120111926A ,2025-06-06

[2]

半导体结构及高电子迁移率晶体管 [P].

陈志谚 ;

钒达·卢 .

中国专利 :CN115548087A ,2022-12-30

[3]

半导体结构及高电子迁移率晶体管 [P].

陈志谚 ;

王端玮 ;

卢钒达 ;

陈俊扬 .

中国专利 :CN115513276A ,2022-12-23

[4]

高电子迁移率晶体管结构和高电子迁移率晶体管 [P].

蔡政原 .

中国专利 :CN214705936U ,2021-11-12

[5]

高电子迁移率晶体管 [P].

杨伟臣 ;

何伟志 .

中国专利 :CN120111925A ,2025-06-06

[6]

高电子迁移率晶体管 [P].

B·T·库奇 ;

J·M·德安格里斯 ;

S·H·波特 ;

T·S·威尔斯 ;

M·D·莱维 .

美国专利 :CN119835984A ,2025-04-15

[7]

高电子迁移率晶体管 [P].

S·沙玛 ;

M·J·齐拉克 ;

S·J·本特利 ;

M·D·莱维 .

美国专利 :CN118156297A ,2024-06-07

[8]

高电子迁移率晶体管 [P].

S·夏尔马 ;

S·本特利 .

美国专利 :CN117650170A ,2024-03-05

[9]

高电子迁移率晶体管及用于制造高电子迁移率晶体管的方法 [P].

张坤好 ;

N·乔杜里 .

中国专利 :CN111727507A ,2020-09-29

[10]

高电子迁移率晶体管 [P].

S·夏尔马 ;

R·克里希纳萨米 ;

J·A·康塔洛夫斯基 .

美国专利 :CN118116968A ,2024-05-31

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