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半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910271137.3
申请日：
2019-04-04
公开(公告)号：
CN111785773A
公开(公告)日：
2020-10-16
发明(设计)人：
林永丰 周政道
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹科学工业园区
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L21335 H01L29778
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
王天尧;任默闻
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-10-16 公开 公开
2020-11-03 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190404
共 50 条
[1]
半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法 [P]. 
林永丰 ;
周政伟 ;
章思尧 ;
周政道 ;
陈秀明 .
中国专利 :CN110473919A ,2019-11-19
[2]
半导体结构和高电子迁移率晶体管的制造方法 [P]. 
林永丰 ;
周钰杰 .
中国专利 :CN109755308B ,2019-05-14
[3]
半导体结构及高电子迁移率晶体管 [P]. 
陈志谚 ;
王端玮 ;
卢钒达 ;
陈俊扬 .
中国专利 :CN115513276A ,2022-12-23
[4]
半导体结构及高电子迁移率晶体管 [P]. 
陈志谚 ;
钒达·卢 .
中国专利 :CN115548087A ,2022-12-30
[5]
高电子迁移率晶体管及半导体装置 [P]. 
斋藤竜舞 .
日本专利 :CN119213567A ,2024-12-27
[6]
高电子迁移率晶体管的半导体结构 [P]. 
杨伟臣 ;
何伟志 .
中国专利 :CN120111926A ,2025-06-06
[7]
高电子迁移率晶体管的半导体结构及其制造方法 [P]. 
林伯融 .
:CN119153332A ,2024-12-17
[8]
半导体结构及具有半导体结构的高电子迁移率晶体管装置 [P]. 
陈志谚 ;
卢钒达 .
中国专利 :CN113871475A ,2021-12-31
[9]
用于高电子迁移率晶体管的半导体结构 [P]. 
林伯融 .
:CN119421444A ,2025-02-11
[10]
高电子迁移率晶体管及高压半导体装置 [P]. 
黄嘉庆 ;
陈志谚 ;
吴俊仪 ;
萧智仁 .
中国专利 :CN113871476A ,2021-12-31
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