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半导体结构及具有半导体结构的高电子迁移率晶体管装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010614410.0
申请日：
2020-06-30
公开(公告)号：
CN113871475A
公开(公告)日：
2021-12-31
发明(设计)人：
陈志谚
卢钒达
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹科学园区
IPC主分类号：
H01L29778
IPC分类号：
H01L2915
H01L2906
B82Y4000
B82Y3000
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
董骁毅;王涛
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-01-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20200630 |
| 2021-12-31 | 公开 | 公开 |