用于半导体结构的欧姆触点

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480029177.6

申请日：

2024-05-02

公开(公告)号：

CN121040236A

公开(公告)日：

2025-11-28

发明(设计)人：

希瓦·拉伊

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H10D64/00

IPC分类号：

H10D64/62 H10D62/85 H10D64/01 H10D30/47

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;吴启超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-28	公开	公开
2025-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/00申请日:20240502

共 50 条

[1]

用于半导体结构的欧姆触点 [P].

永军·杰夫·胡 ;

约翰·马克·梅尔德里姆 ;

山明·牟 ;

艾弗里特·艾伦·麦克蒂尔 .

中国专利 :CN102947956B ,2013-02-27

[2]

半导体结构与半导体装置 [P].

许胜福 ;

陈世范 ;

黄麟淯 .

中国专利 :CN222916512U ,2025-05-27

[3]

宽带隙半导体上的欧姆触点的形成 [P].

约翰·L·霍斯泰特勒 .

中国专利 :CN106471605A ,2017-03-01

[4]

半导体结构、包括半导体结构的集成电路及制造半导体结构的方法 [P].

菲利普·雷诺 .

中国专利 :CN102292812B ,2011-12-21

[5]

半导体组件及其制造方法 [P].

郭裕铭 .

中国专利 :CN118738242A ,2024-10-01

[6]

半导体结构及其制造方法 [P].

李力恒 ;

陈佑昇 .

中国专利 :CN108258042A ,2018-07-06

[7]

半导体结构及具有半导体结构的高电子迁移率晶体管装置 [P].

陈志谚 ;

卢钒达 .

中国专利 :CN113871475A ,2021-12-31

[8]

半导体层结构 [P].

马丁·安德烈亚斯·奥尔松 .

中国专利 :CN114788013A ,2022-07-22

[9]

用于高电子迁移率晶体管的半导体结构 [P].

林伯融 .

:CN119421444A ,2025-02-11

[10]

半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法 [P].

林永丰 ;

周政道 .

中国专利 :CN111785773A ,2020-10-16

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