宽带隙半导体上的欧姆触点的形成

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480078195.X

申请日：

2014-04-23

公开(公告)号：

CN106471605A

公开(公告)日：

2017-03-01

发明(设计)人：

约翰·L·霍斯泰特勒

申请人：

申请人地址：

美国新泽西州

IPC主分类号：

H01L21268

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李春晖;李德山

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/268 申请公布日:20170301
2017-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101709178173 IPC(主分类):H01L 21/268 专利申请号:201480078195X 申请日:20140423
2017-03-01	公开	公开

共 50 条

[1]

宽带隙半导体器件和用于形成宽带隙半导体器件的方法 [P].

T.艾兴格 ;

G.雷舍尔 ;

M.施塔特米勒 .

中国专利 :CN110349853A ,2019-10-18

[2]

形成宽带隙半导体装置的方法 [P].

T·艾兴格 ;

M·赫尔 ;

W·贝格纳 .

德国专利 :CN120390417A ,2025-07-29

[3]

用于半导体结构的欧姆触点 [P].

希瓦·拉伊 .

美国专利 :CN121040236A ,2025-11-28

[4]

用于处理宽带隙半导体晶片的方法以及宽带隙半导体晶片 [P].

F.J.桑托斯罗德里格斯 ;

G.德尼夫尔 ;

T.F.W.赫希鲍尔 ;

M.胡贝尔 ;

W.莱纳特 ;

R.鲁普 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN110491778A ,2019-11-22

[5]

用于处理宽带隙半导体晶片的方法以及宽带隙半导体晶片 [P].

F.J.桑托斯罗德里格斯 ;

G.德尼夫尔 ;

T.F.W.赫希鲍尔 ;

M.胡贝尔 ;

W.莱纳特 ;

R.鲁普 ;

H-J.舒尔策 .

德国专利 :CN110491778B ,2025-03-11

[6]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

中国专利 :CN111295763A ,2020-06-16

[7]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

中国专利 :CN111373546A ,2020-07-03

[8]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

日本专利 :CN111406323B ,2024-03-01

[9]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

中国专利 :CN111406323A ,2020-07-10

[10]

宽带隙半导体装置及宽带隙半导体装置的制造方法 [P].

前山雄介 ;

中村俊一 ;

大贯仁 .

中国专利 :CN114946037A ,2022-08-26

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