半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611237175.X

申请日：

2016-12-28

公开(公告)号：

CN108258042A

公开(公告)日：

2018-07-06

发明(设计)人：

李力恒陈佑昇

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县竹东镇中兴路四段195号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2904 H01L21335

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20161228
2018-07-06	公开	公开
2020-06-02	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20180706

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN111106163A ,2020-05-05

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

钱洪途 .

中国专利 :CN111384165B ,2020-07-07

[3]

半导体组件及其制造方法 [P].

郭裕铭 .

中国专利 :CN118738242A ,2024-10-01

[4]

半导体设备及其制造方法 [P].

张安邦 .

:CN115207094B ,2025-12-30

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

黄敬源 ;

郝荣晖 ;

章晋汉 .

中国专利 :CN111129118A ,2020-05-08

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

林鑫成 ;

黄嘉庆 .

中国专利 :CN118016706A ,2024-05-10

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉冈尚辉 ;

津波大介 .

日本专利 :CN120677850A ,2025-09-19

[8]

半导体元件及其制造方法 [P].

刘埃森 ;

蔡滨祥 ;

林进富 .

中国专利 :CN110867441A ,2020-03-06

[9]

半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法 [P].

林永丰 ;

周政道 .

中国专利 :CN111785773A ,2020-10-16

[10]

半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法 [P].

林永丰 ;

周政伟 ;

章思尧 ;

周政道 ;

陈秀明 .

中国专利 :CN110473919A ,2019-11-19

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