半导体层结构及制造半导体层结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610084528.7

申请日：

2006-05-25

公开(公告)号：

CN1892984A

公开(公告)日：

2007-01-10

发明(设计)人：

布里安·墨非迈克·黑伯伦约尔格·林德纳

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L2118

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

过晓东

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-01-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体叠层结构的制造方法及半导体结构 [P].

宋富冉 ;

周儒领 .

中国专利 :CN117476549A ,2024-01-30

[2]

半导体叠层结构的制造方法及半导体结构 [P].

宋富冉 ;

周儒领 .

中国专利 :CN117476549B ,2024-04-09

[3]

半导体层结构 [P].

马丁·安德烈亚斯·奥尔松 .

中国专利 :CN114788013A ,2022-07-22

[4]

半导体层结构以及用于制备半导体层结构的方法 [P].

布赖恩·墨菲 ;

迈克·黑伯伦 ;

约尔格·林德纳 ;

贝恩德·斯特里茨克尔 .

中国专利 :CN101013667A ,2007-08-08

[5]

半导体元件及其制造方法以及半导体层的结构 [P].

廖晋毅 ;

刘升旭 .

中国专利 :CN104900525A ,2015-09-09

[6]

半导体膜层结构制备方法及半导体膜层结构 [P].

李乐 ;

王峰 ;

屈佳 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN118676055A ,2024-09-20

[7]

半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板 [P].

十文字伸哉 ;

小酒达 ;

铃木贵人 ;

谷川兼一 ;

中井佑亮 ;

川田宽人 ;

松尾元一郎 ;

北岛由隆 .

日本专利 :CN117954536A ,2024-04-30

[8]

半导体元件的制造方法、半导体层支承结构体和半导体基板 [P].

十文字伸哉 ;

小酒达 ;

铃木贵人 ;

谷川兼一 ;

中井佑亮 ;

川田宽人 ;

松尾元一郎 ;

北岛由隆 .

日本专利 :CN117954535A ,2024-04-30

[9]

半导体结构的制造方法及半导体结构 [P].

黄猛 .

中国专利 :CN120224681A ,2025-06-27

[10]

半导体装置及半导体结构的制造方法 [P].

朴志洙 ;

詹姆斯·G·费兰札 .

中国专利 :CN102024768A ,2011-04-20

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